賓夕法尼亞大學的研究小組首次證明，不同時機施加電刺激對人類大腦的記憶功能有不同的作用，記憶失效期施加電刺激有助于恢復記憶，而同樣的電刺激，施加于記憶有效期則起到相反的作用。該研究成果發表于近期出版的《當代生物學》雜志上。

恢復記憶是美國國防高級研究計劃局（DARPA）為期四年的研究項目，旨在開發新技術，以改善記憶喪失患者的記憶功能。新研究表明，在適當時機對腦部施加刺激，才能取得較好的治療效果，在記憶恢復研究上邁出了重要的一步。

研究人員將電極植入到患者腦中，測量大腦各部位的電信號，記錄大腦在形成記憶或記憶失敗時的不同活動模式，并利用機器學習來解密記憶強弱的電信號，進而識別出大腦有效記憶和無效記憶的神經活動模式。

利用該模式，研究人員要求受試者在接受安全范圍的腦刺激時，學習和回憶常用單詞表，來測量在有效記憶期和無效記憶期，電刺激對記憶功能的影響。結果發現，在有效記憶期施加電刺激，記憶變壞。

在無效記憶期施加電刺激，記憶會得到顯著提高。研究人員認為，人類大腦與交通有相似之處，而電刺激可以起到類似恢復交通正常秩序的作用。

研究人員表示，深刻理解大腦的這一過程，可提高多種類型患者，尤其是那些創傷性腦損傷或阿爾茨海默氏癥等神經系統疾病患者的生活質量。

根據不同類型來施加刺激的技術，在恢復記憶功能方面具有十分重要的意義，但從概念驗證到實際治療仍需進行更多的研究。