記者獲悉,福建熔城半導(dǎo)體有限公司項(xiàng)目落戶福州高新區(qū)生物醫(yī)藥和機(jī)電產(chǎn)業(yè)園,總投資100億元。

該基地包括世界首個(gè)2μ載板級(jí)SIP封測(cè)及模組商用量產(chǎn)線和各類生產(chǎn)、研發(fā)、創(chuàng)新及相關(guān)配套設(shè)施,計(jì)劃分三期建設(shè)。

資料圖

一期投資30億元,占地面積約200畝,建筑面積15萬平方米,預(yù)計(jì)年內(nèi)開工,完成高端封測(cè)和模組制造基地建設(shè)。

二期投資50億元,完成第三代半導(dǎo)體外延片建設(shè)。

三期投資20億元,完成芯片制造基地建設(shè)。

項(xiàng)目建成后,將為各類IC產(chǎn)品提供具有高性價(jià)比的先進(jìn)封測(cè)和模組制造及整體解決方案服務(wù),并將持續(xù)開發(fā)IGBT5G通信MCU汽車電子模組設(shè)計(jì)、仿真、工藝、測(cè)試等先進(jìn)技術(shù),預(yù)計(jì)2027年前發(fā)展成為世界先進(jìn)水平的第三代半導(dǎo)體IDM基地。

據(jù)了解,一期項(xiàng)目投產(chǎn)5年內(nèi)將實(shí)現(xiàn)銷售收入30億元,繳納稅收6億元;二期、三期項(xiàng)目投產(chǎn)后,實(shí)現(xiàn)銷售收入100億元,繳納稅收20億元。(記者 徐文宇 通訊員 黃莉銣)